Transistor MOS IXFN82N65P et diode de redressement

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Description de Transistor MOS IXFN82N65P et diode de redressement

Composant de Puissance IXFN82N65P pour Vos Circuits

Le transistor MOS haute puissance associé à sa diode redresseur à récupération rapide constitue une solution d'intégration idéale pour les ingénieurs et techniciens. Ce module compact réunit un transistor à effet de champ robuste et une diode performante pour simplifier le routage de vos cartes électroniques de forte puissance.

Stabilité Thermique et Fiabilité Accrue

Grâce au boîtier SOT-227 de type miniBLOC, ce composant garantit une excellente isolation électrique de la semelle. Cela permet une fixation directe sur dissipateur thermique, améliorant le refroidissement global de votre alimentation à découpage et prolongeant la durée de vie de vos équipements industriels.

Caractéristiques Principales du Module

  • Technologie de transistor à effet de champ avancée
  • Diode redresseur à récupération rapide intégrée
  • Boîtier à faible résistance thermique
  • Idéal pour la commutation haute tension
ParamètreValeur Théorique
Modèle principalIXFN82N65P
Type de transistorMOSFET N-Channel
Configuration1 pièces avec diode intégrée
ApplicationRedressement et commutation

Détails

OPC s4_AB0GVYCJBTP
Référence produit s4_AB0GVYCJBTP
Marque
Prix 17,95 €
Prix habituel 72,17 €
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Note 4.5 / 5.0
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1
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Avis le mieux noté
5/5
J. Mclachlan
Publié le 17/10/2026
Vendu par EXTREME MOBILE LTD
Je suis ravi de mon achat, le produit est superbe.
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